儀器儀表類
日本ORC 臭氧發生器ARV-O3ME
兼容多種光刻技術：可兼容 WL-CSP、IGBT、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技術，適用于多種半導體器件的制造。
寬頻譜光刻功能：具備寬帶曝光能力，可根據配方自動切換 GHI 線、I 線等光刻波長，通過與菜單連動，實現 ghi - Line、gh - line、i - line 的自動切換，滿足不同光刻工藝對波長的要求。
可變 NA 功能：搭載可變 NA（數值孔徑）功能，能夠在 0.16 和 0.1 之間切換，可根據不同的光刻精度需求調整光學系統的分辨率。
高精度光刻：分辨率可達 2.0μmL/s（2.0μm 抗蝕劑厚度），疊加精度≦0.5 微米（|Ave| + 3σ），能夠實現高精度的半導體圖案光刻。
光罩設計格式多樣：支持多達 8 場光罩設計格式，為復雜的半導體芯片設計提供了更多的靈活性。
光學系統保護：光學元件能夠免受周圍環境中的阻滯氣體和化學物質的影響，保證了光刻設備的穩定性和光刻質量。
日本ORC 臭氧發生模塊
ARV-M001D
ARV-M005D
ARV-M020D
ARV-M050D
ARV-M100D/A
ARV-M300D/A
ARV-M500A
ARV-M1000A
